легированные слои

См. также в других словарях:

• СВЕРХИНЖЕКЦИЯ — явление, возникающее при инжекции неосновныхносителей заряда в гетеропереходе, заключающееся в превышении концентрациинеосновных носителей в материале, в к рый происходит инжек ция, по сравнениюс концентрацией носителей в эмиттере. С. электронов… …   Физическая энциклопедия

• ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …   Энциклопедия Кольера

• Планарная технология — совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Содержание 1 Принципы технологии 2 Основные технолог …   Википедия

• ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ — ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, полупроводниковые вещества в поликристаллическом состоянии. Представляют большой практический интерес, так как получение полупроводника в виде поликристаллического слитка или пленки технологически более простой …   Энциклопедический словарь

• КОНСТРУКЦИОННЫЕ И СТРОИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ — Понятие конструкционных и строительных материалов охватывает множество различных материалов, применяемых для изготовления деталей конструкций, зданий, мостов, дорог, транспортных средств, а также бесчисленных других сооружений, машин и… …   Энциклопедия Кольера

• Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре  прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги  выводы коллектора и эми …   Википедия

• Российская Советская Федеративная Социалистическая Республика —         самая крупная среди союзных республик CCCP по терр. и населению. Pасположена в вост. части Eвропы и в сев. части Aзии. Пл. 17,08 млн. км2. Hac. 145 млн. чел. (на 1 янв. 1987). Cтолица Mосква. B состав РСФСР входят 16 авт. республик, 5 авт …   Геологическая энциклопедия

• ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …   Физическая энциклопедия

• КВАНТОВЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ — изменение термодинамич. и кинетич. свойств кристалла, когда хотя бы один из его геом. размеров становится соизмеримым с длиной волны де Бройля l Б электронов. К. р. э. обусловлены квантованием движения электрона в направлении, в к ром размер… …   Физическая энциклопедия

• кремния карбид — то же, что карборунд. * * * КРЕМНИЯ КАРБИД КРЕМНИЯ КАРБИД (карборунд), SiC. Чистый карбид кремния стехиометрического состава бесцветные кристаллы с алмазным блеском. Технический SiC может иметь разнообразную окраску: белую, серую, желтую, зеленую …   Энциклопедический словарь

• Сверхрешётка — GaAs/AlAs и профиль потенциала электронов проводимости и вакантных состояний вдоль направления роста структуры (z). В физике полупроводников под термином сверхрешётка принято понимать твердотельную структуру, в которой помимо периодического… …   Википедия